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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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超純金屬的制備有化學(xué)提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結(jié)合有效。
由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學(xué)方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。可以用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區(qū)域熔煉）。
燒結(jié)法： ITO靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料，加入粘結(jié)劑和分散劑混合后，銀圓柱靶價格，壓力成型，脫脂，哪家有銀圓柱靶，然后于1400℃---1600℃燒結(jié)。燒結(jié)法設(shè)備投入少，成本低，哪里有銀圓柱靶，產(chǎn)品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性很強。
ITO靶制備的透明導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學(xué)系統(tǒng)中，需求量都很大。
在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，亳州銀圓柱靶，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
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第8年
