導電輥包括導電輥的外層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成、內(nèi)層由離子導電性聚合物的組合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成的雙層導電輥,以及與上述相反的外層由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成、內(nèi)層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成的雙層導電輥。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿足!導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題:銅與有機介質(zhì)材料的附著強度低.并且容易發(fā)生反應,導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題,阜新金電解槽設計,需要在銅與介質(zhì)層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
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