鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究
空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,將產(chǎn)生頻率或相位偏差,甚至導(dǎo)致振蕩中止,七專級電壓可調(diào)振蕩器報價,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路,也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響,電壓可調(diào)振蕩器報價,通過分析失效機理,七專級電壓可調(diào)振蕩器報價,以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計。研究結(jié)果表明,當(dāng)器件工作在截止區(qū)時,入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
壓控振蕩器的性能參數(shù)
VCO的關(guān)鍵性能參數(shù)是調(diào)諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負(fù)載阻抗。其次要性能參數(shù)包括電源電壓、電源電流、調(diào)諧靈敏度、推頻、牽引、調(diào)諧端口電容和機械事項。調(diào)諧靈敏度用于說明調(diào)諧電壓(MHz/V)變化引起的輸出頻率變化。值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調(diào)諧電壓之間存在關(guān)系,但是不一定存在線性關(guān)系。
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壓控振蕩器類型的了解
壓控振蕩器的類型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術(shù)要求主要有:頻率穩(wěn)定度好,控制靈敏度高,調(diào)頻范圍寬,頻偏與控制電壓成線性關(guān)系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高,七專級電壓可調(diào)振蕩器報價,但調(diào)頻范圍窄,RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調(diào)頻范圍寬,LC壓控振蕩器居二者之間。
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