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鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應研究
空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下，將產生頻率或相位偏差，甚至導致振蕩中止，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關鍵電路，也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型，采用TCAD混合模擬的方法，針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應的影響，通過分析失效機理，電壓調振蕩器加工，以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明，當器件工作在截止區(qū)時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
壓控震蕩器
壓控振蕩器簡單的說就是振蕩頻率wo (t)受控制電壓Vc (t)控制的振蕩器。壓控振蕩一般可通過變容二級管來實現(xiàn)。因為變容二級管的電容是承外加偏置電壓的變化而變化，通過偏置電壓去控制變容二級管電容的控制達到對振蕩器頻率的控制。在鎖相環(huán)路中壓控振蕩器的輸出頻率是受鑒相器輸出的相位(或頻率）誤差電壓控制，當壓控振蕩器的頻wo與輸入信號的頻率，不同步時，則鑒相器兩輸入信號(ui uo）之間的相位差Qe是時變的，鑒相器輸出是與相位（頻率）相關的誤差電壓ud (t)，該誤差電壓通過低通濾波器濾波，加到壓控振蕩器上，由于相位負反饋作用，該控制電壓Vc將向少uo與ui之間的頻率差的方向改變壓控振蕩器的頻率，使壓控振蕩器的頻率wo與輸入信號頻率同步。所以壓控振蕩器可看成電壓——頻率變換器。
VCO采用多種封裝形式，通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅固及氣密性封裝，七專級電壓調振蕩器加工，或者專門針對惡劣環(huán)境和滿足高可靠性標準（工業(yè)、商業(yè)或用途）進行封裝。因此，電鍍和封裝材料/技術通常滿足標準規(guī)定，能夠達到相關的運行溫度范圍、濕度、沖擊和振動要求。就大多數(shù)帶模擬電壓輸入設計的VCO而言，其輸出頻率與調諧電壓之間存在大致線性關系，但這并未考慮輸入電壓、輸入電流、負載和調諧電壓對輸出功率和頻率特性的綜合影響。這些影響可以采用推頻（VCO頻率變化與電源電壓的關系）和牽引（VCO頻率變化與輸出負載的關系）進行說明。
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第5年
